北京奕芯科技有限公司
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上海功成半导体科技有限公司是一家专注于半导体技术研发、生产与销售的高科技企业。自成立以来，我们始终秉承创新、务实、诚信、共赢的核心价值观，致力于为客户提供高质量、高性能的半导体产品和解决方案。
公司简介：
上海功成半导体科技有限公司成立于2018年，总部位于中国上海市。公司拥有一支由行业资深专家和专业技术人员组成的研发团队，具备强大的研发实力和创新能力。公司通过不断引进国内外先进的生产设备和技术，确保产品品质和生产效率达到行业领先水平。同时，我们注重与客户建立长期稳定的合作关系，以客户需求为导向，提供全方位、一站式的半导体产品解决方案。
屏蔽栅MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET， SGT) | CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计，屏蔽栅于源极短接，屏蔽掉了大部分Qgd电荷，大大降低器件的米勒电容，有效提升器件的开关速度，开关损耗更低，沟槽深度加深降低导通电阻，导通损耗更低。 |
超结器件 （Super Junction MOSFET） | 实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场转换到体内场，相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。 CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C6系列，有效提升开关电源的效率及功率密度。 |
IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor，简写IGBT） | 功率器件与VDMOS的差别在于n外延层下面不是n+层而是p+层。导通时在n型漂移区产生电导调制效应，大幅降低导通压降。 CoolSemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截至设计，外延层厚度降低到60um，Vcesat达到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。 |
智能功率模块IPM （Intelligent Power Module） | 集成驱动电路、保护电路的专用控制IC，外围电路设计更加紧凑、容易。控制IC与功率芯片性能的高度匹配使模块可靠性、稳定性更优，保护功能反应更精准快速。 CoolSemi IPM 集成了高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC。集温度检测与自我保护功能于一体。 |
碳化硅二极管 （Schottky Barrier Diode，SBD） | 与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。 碳化硅二极管结合了肖特基结构所拥有的出色的开关特性和PiN结构所拥有的低漏电流的特点。 |
碳化硅MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) | 基于碳化硅的材料特性，具有较低的开关损耗和较高的工作频率，非常贴合电力电子的应用需求。 其宽禁带特性使得碳化硅MOSFET可以承受高温的极端工作环境，高热导率特性可减少功率器件所需散热装置的体积和数量，高临界击穿场强使得碳化硅MOSFET在保持耐压条件下有着更小的导通电阻，高饱和速度使其具有更高的开关频率和更优异的反向恢复特性。 |
氮化镓高电子迁移率晶体管 （GaN HEMT） | 器件采用pGaN架构，具备常关型特征，与相应的硅（Si）器件相比，具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷，结合几乎为零的反向恢复电荷，可以支持更简单的拓扑结构，实现更高的系统效率。 |
